핵심 요지

  1. AI 병목은 GPU에서 HBM을 거쳐 범용 DRAM으로 이동했다. HBM은 DRAM을 수직으로 적층하는 구조이므로 HBM 수요 증가는 범용 DRAM 수요를 동반 견인한다. 추론·에이전트 AI로 전환될수록 KV캐시 저장용 서버 DRAM과 낸드·대용량 스토리지 필요량도 함께 급증하고 있다.
  1. 수요 연 22% 대 공급 연 5%, 구조적 수급 괴리가 고착된다. 삼성증권 전망 기준 DRAM 장기 수요 성장률은 연 22% 내외이며 시간이 갈수록 이 수치가 높아진다. 메모리 3사 웨이퍼 증설분의 70%가 HBM으로 배정되어 범용 DRAM 공급 증가는 연 5% 수준에 불과하고, 수요·공급 격차는 구조적으로 확대된다.
  1. 3강 과점 구조와 LTA 법적 구속력이 수익성 사이클을 장기화한다. 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 3강 재편 이후 장기공급계약에 선금·취소 페널티·가격 상승분 반영 조항이 포함되어, 과거 치킨게임식 출혈 경쟁이 재현될 가능성이 낮아졌다.

왜 지금 이 영상인가

SOL자산운용 김영론 부장이 2026년 10월 7일 상장 예정인 SOL 글로벌 DRAM 반도체 플러스 ETF를 소개하며 DRAM 공급 부족의 구조적 배경을 설명한 영상이다. HBM 증설이 범용 DRAM 웨이퍼를 잠식하는 메커니즘과 22 대 5라는 수급 비대칭 수치가 핵심 논거로 제시되며, 글로벌 분산 구성과 연금 계좌 활용 가능성도 함께 다뤄진다.

발언 요지 (시각은 원본 영상 기준)

  • [00:00~02:57] GPU→HBM→DRAM으로 이어지는 병목 이동 — AI 병렬 연산 수요가 GPU를 각광받게 했고, 데이터를 흘려보낼 통로가 좁아지면서 HBM이 등장했다. HBM이 DRAM을 수직으로 쌓는 구조인 만큼 HBM 수요가 늘어날수록 기반이 되는 범용 DRAM 소요량도 함께 급증한다고 김영론이 설명했다.
  • [02:59~05:57] 수요 연 22% 대 공급 연 5%, 수치로 본 구조적 괴리 — 삼성증권은 DRAM 장기 수요 성장률을 연 22% 내외로 전망했다. 메모리 3사 웨이퍼 증설분의 70%가 HBM으로 배정되어 범용 DRAM 공급 증가는 연 5% 수준에 그치며, 수급 격차가 구조적으로 가격 상승을 뒷받침한다고 제시됐다.
  • [05:59~08:56] 클린룸 부족·수율 난이도·LTA 확산으로 사이클 장기화 — 클린룸 부족과 HBM 수율 확보 난이도로 단기 증설이 어렵고, 삼성전자·SK하이닉스의 팹 증설 계획은 대부분 2027년 이후다. LTA에 선금·취소 페널티·가격 상승분 반영 조항이 포함되어 메모리 3강의 수익성 지속 기간이 과거 사이클 대비 길어졌다.
  • [09:00~11:54] SOL 글로벌 DRAM 반도체 플러스 ETF 구성 전략 — 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 각 25% 내외로 총 75%를 집중 편입하고, 나머지 25%는 낸드·스토리지·메모리 장비 분야에서 시장 지배력을 갖춘 한국·미국·일본 기업으로 구성해 총 10종목으로 운용한다. 단일 국가에 국한되지 않은 글로벌 분산이 특징이다.
  • [13:25~14:26] 연금 계좌 투자와 과세 이연 절세 효과 — 국내 상장 ETF이므로 연금 계좌에서 DRAM에 투자할 수 있으며, 과세 이연 적용 시 세율이 약 5%대로 낮아진다. 국내에서 DRAM 키워드를 쓰는 ETF는 10월 7일 이후 이 상품이 유일하다고 언급됐다.

김영론의 입장 — 강세(DRAM 공급 부족 구조화)

김영론은 AI 학습에서 추론·에이전트 단계로 전환될수록 서버용 DRAM과 HBM 수요가 동시에 증가하는 반면, HBM 웨이퍼 집중과 클린룸 부족으로 범용 DRAM 공급은 연 5% 수준에 묶인다는 구조적 병목론을 영상 전반에 걸쳐 일관되게 제시했다. 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 3강 과점 체제 아래 선금·페널티 조항이 담긴 LTA가 수익성을 뒷받침하며, 반도체 산업이 단순 사이클 산업에서 인프라 산업으로 성격이 전환되고 있다고 보았다. 이 표시는 말한 사람의 견해를 옮긴 것이며 서비스의 투자 의견이 아니다.